在高阶边带产生中，近红外激光在半导体中产生的电子和空穴被强太赫兹场加速到高动能，并在散射前反冲发射近红外边带。

　　研究人员通过实验测量边带极化，并引入一个理论，将这些极化与不同的回忆路径之间的量子干涉联系起来，重建了砷化镓中两种类型的空穴在波长远长于原子间距的波长下的布洛赫波函数。这些布洛赫波函数在球体的表面上清晰可见。原则上，可以从任何直接间隙半导体或绝缘体中观察到高阶边带产生。

　　研究人员期望该方法可用于重建这些材料中的低能量布洛赫波函数，从而深入了解凝聚态物质的电子与光学性质的起源和工程。